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二维纳米结构是近年来的研究热点，备受研究者关注。石墨烯(graphene)是二维纳米结构中的典型代表，其具有特殊的狄拉克电子性质、高的电子迁移率和独特的电子输运性质，已得到了科学界广泛关注。类graphene二维材料如二维六角氮化硼(h-BN)在实验上被成功制备，它具有极强的化学稳定性、优异的力学性能和较高的熔点等性质。h-BN能与graphene构成稳定的堆垛结构，在实验上已可高质量制备。我们基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，探讨了空位、替位、以及空位和替位混合三种类型点缺陷对石墨烯与二维六角