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非晶铟镓锌氧(Amorphous In-Ga-Zn-O,a-IGZO)材料在2004年由日本东京工业大学提出后,作为一种可用于薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs)典型非晶氧化物半导体材料被广泛研究。由于其具有柔性、透明、载流子迁移较高等特点,目前其载流子迁移率可高达～70 cm~2/(V·s)。a-IGZO材料可在低温加工、大规模制造的条件下获得较为平整的表面,因此其具有一定的应用潜力。基于非晶铟镓锌氧(Amorphous IGZO,a-IGZO)的薄膜晶体管可用于平板