三氧化钨（WO₃）是一种重要的功能材料,因具有良好的电致变色、光致变色、电化学性能而得到广泛的研究和应用。近年来,人们发现,三氧化钨基功能陶瓷具有一定的非线性电压-电流特性,因此是一种可能的压敏电阻材料。前人对于三氧化钨陶瓷的研究大多数以微米WO₃粉末为原料,采用普通电子陶瓷制备工艺,改变掺杂元素及比例,制备微米基WO₃陶瓷并观察对其电学行为的影响。而以纳米WO₃粉末为原料,不同制备工艺对三氧化钨陶瓷电学行为的影响却少见报道。本文以纳米三氧化钨粉末为前驱体,通过不同工艺制备WO₃陶瓷,以其电学性能为主要研究内容,进一步深入研究了WO₃陶瓷材料的电行为。1)我们用溶胶-凝胶法制备纳米WO₃粉末,经透射电镜和X射线宽化衍射法分析其粒度为30nm左右。2)我们发现氩气气氛下烧结样品为线性电阻,其电阻率为0.77Ω·m,空气气氛下烧结样品具有非线性特征,非线性系数为3.67。3)我们发现900℃以下淬火样品具有非线性伏安特性,且非线性系数最大可达10.93;淬火温度高于900℃时,样品为线性电阻,电阻率仅为0.16Ω·m。计算其势垒电压E_α为0.049eV。我们认为900℃以下淬火样品的两相共存态,使晶界电阻增大,晶界势垒升高是其非线性产生的重要原因。4)微波烧结使WO₃陶瓷变为棒状的W₁₈O₄₉,并具有重复性良好的线性伏安特性;回火后,样品晶粒又变为球形,出现非线性I-V特性,计算其势垒电压φ_B为0.16eV。5)纳米Gd₂O₃掺杂样品的非线性系数随着掺杂量的增加而先减小后增大。我们认为少量Gd掺杂抑制WO₃陶瓷三斜相的产生,使晶界势垒降低,样品非线性系数减小;掺杂量增加时,纳米Gd₂O₃与WO₃反应生产Gd₂（WO₄）₃相,使晶界势垒升高,晶界电阻增大,样品非线性系数变大。