【摘 要】
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碳化硅(SiC)其作为第三代半导体的代表之一,具有高度稳定的晶体结构,使其具有优异的耐高温耐腐蚀特性;同时其高击穿场强、高热导系数、高饱和电子迁移率以及低导通损耗使其在5G通信、新能源以及光伏等产业具有良好应用前景。本研究采用磁控溅射(RF Magnetron Sputtering,Radio Frequency Magnetron Sputtering)物理气相沉积法与高温化学气相沉积法(HTC
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碳化硅(SiC)其作为第三代半导体的代表之一,具有高度稳定的晶体结构,使其具有优异的耐高温耐腐蚀特性;同时其高击穿场强、高热导系数、高饱和电子迁移率以及低导通损耗使其在5G通信、新能源以及光伏等产业具有良好应用前景。本研究采用磁控溅射(RF Magnetron Sputtering,Radio Frequency Magnetron Sputtering)物理气相沉积法与高温化学气相沉积法(HTCVD,High Temperature Chemical Vapour Deposition)在不同工艺
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