近些年来,半导体器件和集成电路向高速、高集成、微功耗方向发展,电路中的绝缘层越来越薄,器件的工作电压越来越低,抗过电压能力下降,无论是对EOS/ESD还是对时间累积效应下的电流／电压应力,都变得更加敏感。对于航天、军事等有高可靠要求的领域问题更为严重。电子元器件作为集成电路的基本组成结构,其质量和在生产、运输、贮存及使用过程中的可靠性好坏对电路及电子系统的应用影响至关重要。电应力对电子元器件材料可靠性的影响在所有因素中占主要地位,故急需对电子元器件材料电应力损伤进行研究。电子元器件噪声理论表明低频噪声对电子元器件或材料内部的各种缺陷和损伤十分敏感,因此可用低频噪声来表征器件的质量及可靠性。本文在总结电子元器件电应力类型及损伤的基础上,针对导致器件失效比例较高的静电放电应力,将电子元器件按照静电放电易损结构进行了分类,并对各类结构静电放电损伤的国内外研究现状进行了总结分析。肖特基二极管是航天用DC/DC电源的重要组成部分,其性能的退化会引发DC/DC电源进一步的失效。因此,本文试验部分设计了针对肖特基二极管的静电放电损伤研究方案。方案采用同一电压下对二极管进行多次静电放电,并在每次放电后对其进行I-V特性和噪声特性测试,分析静电放电应力对其特性退化的影响,并提取出对损伤敏感的噪声表征参量。同时,本论文利用低频噪声测试技术对射频微波器件进行了特性测试,通过分析噪声功率谱和噪声参量,分析了该类以电路为基本结构的器件的工艺波动、静电放电损伤及失效等可能存在的应力损伤问题,并优选出了可用于表征其损伤问题的噪声参量。