【摘 要】
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本论文主要对磷化铁(FeP)气氛和磷(P)气氛下退火得到的InP材料经电子辐照前后的电学参数和缺陷变化进行了研究。与辐照前相比，辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化，这
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本论文主要对磷化铁(FeP<,2>)气氛和磷(P)气氛下退火得到的InP材料经电子辐照前后的电学参数和缺陷变化进行了研究。与辐照前相比，辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化，这与辐照产生缺陷的电学补偿作用有关。FeP<,2>气氛下退火得到的低阻InP材料的DLTS结果表明，辐照抑制了一些缺陷，但同时也产生了新的缺陷；在同样的条件下，原生InP样品中的电子辐照缺陷相对较为稳定，而经FeP<,2>气氛下退火后的InP中的电子辐照缺陷恢复速度快。除铁受主外，FeP<,2>气氛下退火后呈半绝缘性质的InP中辐照前没有深能级缺陷，而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的谱峰，对应的激活能分别为0.23eV，0.26eV，0.31eV，0.37eV和0.46eV。磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多，其电子辐照缺陷具有复合体特征。根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响。
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