纳米二氧化锡的制备及其气敏性能的研究

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SnO2是一种具有金红石型晶体结构,宽带隙(Eg=3.6 eV)的n-型金属氧化物半导体材料,在众多研究领域都潜在着可观的应用前景,因此吸引了众多科学工作者的广泛注意。其中最重要的用途之一就是制作气体传感器。因为SnO2基气敏元件对许多种气体都具有很高的灵敏度,而且在众多的金属氧化物半导体材料中,它的稳定性非常好,在较大的温度范围内都不会发生相变,因此特别适合于制作气体传感器。利用SnO2基气体传感器对各种气体进行检测、预警来控制其排放、泄露,具有非常重要的应用价值。本文利用水热法和溶剂热法分别制备了不同形貌、尺寸可控的纳米SnO2,对其进行了详细表征,并对其气敏性能进行了研究。具体研究内容如下:1.利用水热法,在无模板、无催化剂、且无表面活性剂的条件下,宏量制备了纳米SnO2。通过改变反应温度、反应时间和反应物浓度,掌握了尺寸可控的纳米SnO2的制备方法。所制备的纳米SnO2颗粒均匀且粒径极小,纯度极高。基于所制备的纳米SnO2所制成的气敏元件对乙醇表现出非常高的灵敏性和良好的选择性、稳定性以及快速的响应-恢复时间。2.利用溶剂热法,在无模板、无催化剂、且无表面活性剂的条件下,制备了尺寸可控的单分散的SnO2纳米方块。所制备的单晶SnO2纳米方块尺寸均匀,粒度分布窄,纯度极高,分散性很好,结晶度很高,并且基于所制备的SnO2纳米方块所制成的气敏元件对乙醇具有很高的灵敏性和良好的选择性、稳定性以及快速的响应-恢复时间。
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