信息时代的发展主要由于固态存储的快速更新和新型电子设备的出现。随着大数据信息时代的到来,对存储速度、单位擦写速率和数据保存时间等方面提出了新的挑战。阻变存储器（RRAM）因其结构简单、存储密度高、耐受性强和良好的电阻转变效应等优势,被认为是最有潜力的下一代新型非易失性存储器之一。碳量子点（CQDs）作为一种新型的荧光纳米材料,具有优异的荧光特性、良好的生物相容性,在传感、生物医学、光催化和光电器件等方面具有潜在应用,近年来引起了人们广泛关注。聚乙烯吡咯烷酮（PVP）是一种非离子型高分子化合物,因其良好的生物兼容性和优异的延展性,成为近年来阻变材料的研究热点。然而,单一PVP材料产生稳定阻变行为的现象亟待开发,而将CQDs掺杂到有机物中近年来备受关注。本论文采用CQDs掺杂在PVP中,利用CQDs的界面效应使PVP产生稳定阻变现象,并制备柔性RRAM器件;利用CQDs对紫外光良好的响应特点,通过紫外光辐射调控RRAM的性能,实现光电结合方面的功能。具体工作如下:（1）本文围绕不同类型的碳量子点掺杂到PVP材料中,制备4种类型RRAM器件,并对其阻变行为展开研究。首先,利用水热法成功制备了纯碳量子点（UCQDs）、O掺杂碳量子点（OCQDs）和N掺杂碳量子点（NCQDs）。通过一系列表征,制备的NCQDs具有C-N键,对紫外光具有良好的响应,为后续制备光电器件提供基础。其次,成功构建Al/PVP/ITO器件、Al/UCQDs-PVP/ITO器件、Al/OCQDs-PVP/ITO器件和Al/NCQDs-PVP/ITO器件,对上述器件的阻变行为研究得出:掺杂CQDs能使PVP出现稳定的阻变现象。从器件电学性质方面,Al/NCQDs-PVP/ITO器件的阻变性能最优,并利用最优化的器件进行相应的电学研究。（2）本文利用光电刺激共同调控Al/NCQDs-PVP/ITO器件,研究器件的阻变行为,并且拓展到光电功能探究。经过光照后器件无Forming过程,实现良好的阻变行为。通过调节紫外光照射器件的时间,进一步调控器件的开启电压和电阻态。探究发现随着光照时间增加,器件的V_SET和HRS减小,从而降低器件损耗的概率,延长器件使用寿命。有趣的是,利用光电信号调控实现了在光电逻辑运算和多层图像信息存储方面的应用,并成功制备了柔性RRAM。此外,将CQDs与其他纳米材料复合,制备了全碳忆阻器,实现基于碳基神经突触仿生的功能。