宽温度高稳定电光Q开关LiNbO<,3>晶体的研制

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我们对俄罗斯的Q开关LiNbO<,3>晶体、同成分LiNbO<,3>晶体和以K<,2>O顶部籽晶法生长出的LiNbO<,3>晶体进行了对比分析:用电子探针对其进行了元素含量分析,并用测居里点、晶胞体积、紫外吸收边、红外吸收光谱等方法,测试出了晶体[Li]/[Nb].以上各种方法测试结果表明,俄罗斯Q开关LiNbO<,3>晶体的[Li]/[Nb]为49.02/50.98,比同成分高,而又小于化学计量比1:1,是非同成分非化学计量比的LiNbO<,3>晶体.我们认为俄罗斯Q开关LiNbO<,3>晶体,能够在-40~50℃范围内稳定工作,主要是因为晶体的成分决定的,高的[Li]/[Nb],减少了晶体中的Li空位,减少了晶体中的点缺陷,进而提高了晶体的温度稳定性.为此,我们选定两种晶体生长方案,进行了宽温度高稳定性Q开关LiNbO<,3>晶体材料的制备及研究,生长出与俄罗斯用于宽温度高稳定性Q开关LiNbO<,3>晶体相近[Li]/[Nb]的优质晶体.
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