传感器是人类五官的延长,是人类获取信息的重要工具,又被称之为电五官,被广泛应用于人类生活和社会发展的各个领域。随着社会的发展和应用探索的不断进行,能在高温、辐射等恶劣条件下服役的高性能、高稳定压力传感器的研发变得越来越急迫。SiC材料由于具有宽带隙、高导热率、高击穿电压和高电子迁移率等优点,成为构建适用于恶劣工作条件下的高性能压力传感器的代表性材料之一。低维碳化硅纳米材料由于同时具有低维纳米结构和碳化硅的双重优点,研究证实其拥有比相应块体材料更大的压阻效应。本论文以高性能SiC压力传感器的研发为目标,采用高温热解有机前驱体（聚碳硅烷/聚硅氮烷）制备工艺,在碳布衬底上制备出尺寸相近、掺杂元素可控的SiC纳米线。利用原子力显微镜（AFM）对不同掺杂类型的SiC纳米线进行压阻性能检测,探索单元素掺杂以及双元素共掺对SiC纳米线压阻性能的影响,并对不同元素掺杂的SiC纳米线的压阻效应产生机理进行讨论分析,为实现适用于恶劣环境下的高性能压力传感器的研发提供技术参考和理论支撑。主要工作如下:1、以聚硅氮烷为前驱体,硝酸钴为催化剂,在氮氩混合气氛保护下,通过高温热解制备了直径约为200nm的N掺杂3C-SiC纳米线,N元素掺杂浓度约为2.32 at.%。压阻性能测试结果表明:随着施加的压力从27.26 nN增加到111.14 nN,N掺杂SiC纳米线的横向压阻系数π_[11?0]的变化范围为2.65×10^-11 Pa^-1-5.33×10^-11 Pa^-1。其应变系数（GF）最大可达31.98,高于未掺杂的SiC纳米线的应变系数。2、以聚碳硅烷为前驱体,硝酸钴为催化剂,在氩气保护下,通过高温热解有机前驱体实现P掺3C-SiC纳米线的制备。纳米线直径约180 nm,P元素掺杂浓度约0.1 at.%。压阻性能测试结果表明:随着施加的压力从27.26 nN逐渐增大到121.63 nN,P掺杂SiC纳米线的横向压阻系数π_[11?0]从-4.77×10^-11 Pa^-1增大到-26.99×10^-11 Pa^-1。应变系数GF高达-161.9,仅低于目前SiC纳米结构中报道的最大应变系数。3、以聚硅氮烷为前驱体,硝酸钴为催化剂,在氮氩混合气氛保护下,通过改变氮氩混合气的比例,制备出尺寸相似、N元素掺杂浓度不同的N/P共掺SiC纳米线。两组样品的P元素掺杂浓度分别为0.1 at.%和0.11 at.%,N元素掺杂浓度分别为2.16 at.%和10.16 at.%。压阻性能测试结果分析如下,随着施加的压力逐渐增大,两组样品的最大压阻系数π_[11?0]分别为-146.30×10^-11 Pa^-1和-47.15×10^-11 Pa^-1。其最大应变系数GF分别为-877.79和-282.89,均大于N掺杂或P掺杂纳米线的应变系数,其中,第一组N/P共掺SiC纳米线的应变系数高于目前SiC纳米材料体系中获得的最大应变系数。