氮化硼(BN)是一种应用极为广泛的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,BN膜通常是利用物理及化学气相沉积的方法获得的。沉积BN膜所用衬底材料一般为硅片,除了在传统的Si衬底上生长BN膜外,不同的金属和绝缘体材料也可作为沉积BN膜的衬底材料。衬底材料对BN膜的生长有重要的影响,因此衬底材料的选择是制备出高质量立方氮化硼(cBN)及其他结构的BN膜的关键。本论文利用射频磁控溅射沉积方法,在c-轴取向石墨片衬底上,在没有衬底加热和负偏压的条件下制备出高质量的cBN厚膜。研究了各种实验参数对样品制备的影响,包括:射频功率、沉积时间和衬底负偏压对制备BN膜的影响。掌握了石墨衬底上沉积cBN厚膜的适合条件,并对所得的高立方相含量的BN膜的光学性质、场发射性质做了分析。利用磁控溅射方法,制备出了纯净的自支撑的oBN厚膜,并对其晶体结构、光学性质、半导体性质、机械性质进行了研究和讨论,为oBN的研究提供了一些有价值的信息。