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【摘 要】
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以氮化镓及氮化铟为首的第三代半导体材料,由于具有高电子饱和速率、高电子迁移率、较小的有效电子质量、良好的导热性能以及稳定的物化性能,因此在高频、高功率的短波电子元
【出 处】
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内蒙古工业大学
【发表日期】
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2017年01期
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