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本论文根据现有的实验条件，对于低噪声HEMT，低噪声放大器的设计进行了研究，提出了适合我们设计要求的HEMT件外延层材料结构。
根据低噪声放大器的设计要求，对于低噪声放大器的主要指标进行了说明，对于设计中需要涉及的微带线理论知识进行了分析，对于各种匹配网络进行了详细说明。
对于HEMT器件与HEMT低噪声放大器的工艺设计进行了说明，主要对于无源元件，有源元件的版图设计和版图的等效电路进行了说明与分析，根据现有的实验条件进行了工艺流片。