本文采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在载玻片、铝合金和单晶硅基体上制备了AISn20/C镀层。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对镀层的化学成分和微观组织进行了分析;采用球痕仪测量了镀层的厚度;采用维氏显微硬度仪测试了镀层的硬度;采用洛氏硬度仪和划痕仪测试了镀层的膜基结合强度;采用球一盘摩擦磨损试验机测试了镀层的摩擦磨损性能。研究了碳靶电流对AISn20/C镀层的微观组织和摩擦磨损性能的影响规律，探讨了碳靶电流对镀层摩擦磨损性能的影响机理，并讨论了基体负偏压对镀层性能的影响。　　 研究结果表明:随着碳靶电流增大，AISn20/C镀层中碳含量增加，镀层的非晶程度提高;SEM分析显示随着碳靶电流的增大，镀层表面岛尺寸减小，高度降低，镀层的表面粗糙度随之降低;本文制备的AISn20/C膜的C-C键合结构以sp2为主，碳靶电流的增大使碳层sp3/sp2比例逐渐减小。随着碳靶电流从OA增大到0.85A，镀层的厚度和沉积速率随之增大，镀层的硬度也随着增大，在Ic=0.85A时达到最大值;结合强度实验显示，靶电流较大时，轨迹内出现层片状剥落，结合性能较差;不同载荷下AISn20/C镀层的摩擦系数随着碳靶电流的增大而减小;磨损失重率也有相同的变化趋势。　　 基体负偏压影响沉积速率，沉积速率随偏压的增加而减小;基体偏压影响镀层的硬度，硬度随偏压的增大，先增大后减小，-80V时镀层的硬度达到最大;镀层的结合强度也随偏压的增大而增大。摩擦学试验表明:随着负偏压的增大，镀层的摩擦系数逐渐降低;镀层和摩擦副磨损失重率随负偏压的升高而减小，各组参数下镀层有良好的减摩性能。