随着便携式电子产品的快速发展,电源管理的地位越来越显重要。低压差线性稳压器(LDO)是电源管理中的一种,由于其具有结构简单,外接元件少,静态电流小,低噪声,响应快,价格低等优点,被广泛的应用于笔记本电脑、手机、MP3、数码相机和汽车电子等设备中。众所周知,集成化是半导体产品发展的一大趋势。而传统的LDO在输出端有一个很大的电容,不利于系统集成。因此,对无片外电容LDO的研究很有必要。本论文完成了一种无片外电容LDO的分析与设计。本文主要从稳定性,负载瞬态响应和电源抑制比(PSRR)三个方面对LDO进行了详细的分析,同时提出一种新的电源抑制比提高的方法。用一个电源抑制比增强网络来控制系统的反馈因子β,实现系统PSRR零点的增大,从而提高系统中频带的PSRR。该LDO采用Chartered 0.35um CMOS工艺设计,并用Cadence软件进行仿真。最终实现的无片外电容LDO只需要0.5pF的电容,完全可以在片内集成。输入电压范围为3V到5V,输出电压为2.8V,电压差为200mV,静态电流为58.5uA。最大的负载电流为50mA。本文设计的LDO具有良好的负载瞬态响应和电源抑制比特性。当负载电流瞬间变化时,输出电压过冲小于70mV。当输入电压最小时,PSRR在10kHz时大于-90dB,在1MHz时大于-45dB。本文设计中使用的结构和方法具有一定普遍性,当设计指标改变时,可以根据文中的方法很快设计出满足要求的产品,有很好的实际意义。