激光作为一种热源,由于其具有的瞬态非平衡能量输出机制以及作用在材料时的超快加热效应,近几年在纳米材料的制备中已有所应用。当激光照射材料时,在激光作用的三维空间内,激光能量呈现出一定的梯度分布,为材料的合成提供了条件。本文以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,进行了激光照射下SiC纳米颗粒原位生长晶须的试验,探索SiC晶须在激光照射下稳定生长的条件及其生长过程。所完成的工作主要有:1.研究SiC晶须的生长阶段,分析激光照射原位生成晶须的机理和传质机制。2.从晶体生长动力学角度对晶须生长的过程进行分析,同时分析了二次成核的生长部位及方向。3.采用被照射表面与光斑垂直的方式进行SiC纳米颗粒激光照射试验。对样品进行扫描电镜分析,探索晶须稳定生长的条件。4.针对采用不同粘结剂样品生成的晶须,分析激光能量密度对晶须形貌和数量的影响。