AZO(ZnO:Al)薄膜和其他类型的透明导电氧化物(TCO)薄膜相比优势比较明显,比如说价格低、毒性低、稳定性好。AZO薄膜的应用范围广泛,是新型TCO薄膜中最具有发展前景的一种。在本文中,使用了脉冲激光沉积法在载玻片和ITO衬底上分别沉积AZO薄膜,主要分析了衬底温度以及氧气分压对AZO薄膜的晶体结构、光学性能和电学性能的影响,并得到了以下结论:　　1.当衬底温度在200℃~300℃范围内时,在载玻片和ITO衬底上的AZO薄膜均表现为c轴择优生长,形成具有良好结晶性的薄膜。当衬底温度不断升高,载玻片衬底上AZO薄膜的c/a值逐渐减小,ITO衬底上AZO薄膜的c/a值逐渐增大。当氧气分压在0.8Pa~2.0Pa范围内时,载玻片和ITO上均为c轴择优生长,结晶性能良好,当氧气分压不断增加,载玻片以及ITO衬底上薄膜的c/a值不断的降低。在ITO衬底上沉积的AZO薄膜比在载玻片衬底上沉积的薄膜粗糙度更小。　　2.在不同衬底温度下,载玻片和ITO衬底上沉积的AZO薄膜在可见光范围内的平均透过率均在80％以上。随着氧气分压的增加或测试温度的升高,载玻片和ITO上沉积的AZO薄膜的光吸收曲线吸收边均有红移现象,薄膜光学禁带宽度逐渐减小。　　3.当衬底温度在200℃、氧气分压在0.8Pa~2.0Pa之间,此时AZO薄膜具有较小的电阻率2.5×10-4Ω·cm和较大品质因子2.2x10-2Ω-1。AZO薄膜对光照敏感,反向电压和正向电压下光照引起电流明显增加,说明AZO薄膜具有良好的光电响应。