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本文介绍了利用脉冲激光分子束外延技术(L-MBE)生长LaAlO3/BaTiO3(LAO/BTO)超晶格薄膜,并首次发现其具有比相同工艺条件下生长的SrTiO3/BaTiO3 更优良的电学性能,其介电损耗比SrTiO3/BaTiO3 超晶格薄膜至少小一个数量级。更重要的是LAO/BTO 超晶格薄膜具有明显的铁电性能,其2Pr可达到25μc/cm2。由于超晶格薄膜的性能决定于生长和结构,因此,在薄膜生长过程中,我们首先利用高能电子衍射技术(RHEED)对LAO/BTO 超晶格薄膜的