【摘 要】
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检纠错技术是解决静态随机存储器抗单粒子翻转问题的重要方法。本文针对静态随机存储器的加固问题,根据存储器的读写特点,综合考虑抗单粒子翻转性能、冗余存储容量大小和系统
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检纠错技术是解决静态随机存储器抗单粒子翻转问题的重要方法。本文针对静态随机存储器的加固问题,根据存储器的读写特点,综合考虑抗单粒子翻转性能、冗余存储容量大小和系统读写效率,提出了一种新型抗单粒子翻转的存储器读写结构,采用改进型汉明算法设计了检纠错编解码模块。利用存储器与控制器件的互连总线,并行接入检纠错编解码模块,以减小检纠错模块对存储器读写操作性能的影响;以512字节为单位划分存储器空间,采用改进型汉明检纠错码方法对512字节进行编解码,得到3字节的纠错码;采用Verilog HDL设计的RTL级编解码模块,经Synopsys DC综合得到的规模为1万5千门(含1K触发器),工作频率达到80MHz。使用ALTERA公司的StratixⅡ系列FPGA中的EP2S60F1020C3进行硬件验证,证明检纠错编解码模块的功能达到设计要求。
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