在集成电路（IC）产业高速化、微缩化发展的时代背景下,器件特征尺寸以及金属互连线宽不断减小。金属铜（Cu）相对于传统互连材料铝（Al）具有更低的电阻率和优良的抗电迁移等特性,成为深亚微米IC金属布线材料。化学机械抛光（CMP）通过化学与机械的协同作用实现铜互连晶圆表面局部和全局平坦化。在铜CMP过程中会引入大量污染物,严重影响器件的性能和良率,其中铜腐蚀抑制剂苯并三氮唑（BTA）与硅溶胶颗粒是CMP后的主要残留物,须在铜CMP后清洗中有效去除。本文对BTA及颗粒在铜表面吸附的相互作用规律及去除进行了研究,主要工作如下:首先,探究了BTA对硅溶胶颗粒在铜表面的吸附影响,确定了二者在CMP后清洗中的清洗次序,以提高清洗效率。研究了碱性条件下（pH=10）不同浓度BTA对颗粒粒径以及表面zeta电位的影响,通过扫描电子显微镜（SEM）确定BTA对颗粒在铜表面的吸附影响。通过分子动力学（MD）模拟构建了BTA分子和Si O2分子在铜表面的吸附模型,从吸附能的变化解释分子的吸附行为。实验结果表明低浓度的BTA有利于硅溶胶的稳定性,并减少颗粒在铜表面的吸附,但高浓度的BTA使颗粒表面的zeta电位增大,部分颗粒团聚,破坏了硅溶胶的稳定性,其吸附量明显增多。其次,系统研究了CMP后清洗中BTA的去除。基于吸附实验结果通过接触角、电化学、原子力显微镜（AFM）等表征手段探究了四乙基氢氧化铵（TEAH）以及不同氨基酸络合剂（赖氨酸、丝氨酸、脯氨酸）在碱性条件下（pH=10.5）对铜表面BTA的去除效果。并借助密度泛函理论（DFT）和分子动力学,分析了氨基酸分子的反应活性和作用机理。结果表明150 ppm TEAH和1000 ppm赖氨酸复配的清洗液可以有效去除铜表面的BTA。TEAH可以去除铜表面物理吸附的BTA,而赖氨酸分子和铜原子发生络合反应,断开Cu-BTA之间的化学键,从而去除化学吸附的BTA。最后,优化了基于TEAH的新型碱性清洗液的组分并对其去除颗粒和BTA的效果进行了综合验证。表面活性剂脂肪酸二乙醇酰胺（CDEA）有较好的润湿性,可以使清洗液在晶圆表面充分铺展,并且能降低硅溶胶颗粒表面的zeta电位,有效去除颗粒并防止颗粒在铜表面的二次吸附。使用pH=10.5,150 ppm TEAH、1000 ppm赖氨酸和2000 ppm CDEA组成的新型碱性清洗液对BTA和硅溶胶颗粒混合污染的铜片进行清洗,铜表面的接触角降低至25.5°,腐蚀电流密度升高至9.658×10-7A/cm~2,粗糙度降至1.92 nm,BTA被有效去除,表面颗粒也几乎被全部去除。