ITO陶瓷作为制备透明导电氧化物薄膜的材料,被广泛的用于军用和民用领域,由于In203和Sn02在高温下极易挥发,因此使用传统烧结在空气气氛下很难制备出高致密的ITO陶瓷。近年来,微波烧结技术因其独特的烧结特性受到广泛的关注,微波烧结可以降低材料的烧结激活能、降低烧结温度、促进物质扩散并加快烧结速率等。然而单纯的使用功率不高的微波烧结炉也很难获得高致密的ITO陶瓷,因此本论文的研究目的是探索一种ITO微波掺杂烧结的方法在空气气氛中制备高致密的ITO陶瓷,该方法结合了微波烧结和掺杂的共同优点。本研究选取了ZnO, Sb2O3和Ti3N4作为掺杂剂,并且考察了不同掺杂量对ITO陶瓷的致密度、电阻率及微观结构的影响,从而确定获得高致密、低电阻率ITO陶瓷的最佳掺杂量。实验结果显示,随着ZnO掺杂量的增加,ITO陶瓷的密度增加、质量损失减少、晶粒尺寸减小。ITO陶瓷的电阻率随着ZnO掺杂量的增加先增加后减小。使用该方法最终制备出了相对密度接近99%的ITO陶瓷,烧结时间仅仅为25min。掺杂9.09wt%ZnO的ITO陶瓷具有最低的电阻率,其相对密度为98.1%,且该样品经过烧结后仍然是ITO单一固溶体。使用8b203掺杂的微波烧结技术制备出了相对密度为98.3%的ITO陶瓷,实验结果显示在0到1.5wt%的Sb203的掺杂范围,随着掺杂量的增加,陶瓷的电阻率逐渐减小。使用Ti3N4掺杂的微波烧结技术制备出了相对密度为98.2%的ITO陶瓷,实验结果显示在O到0.5wt%的Ti3N4的掺杂范围,随着掺杂量的增加,陶瓷的电阻率亦呈现逐渐减小的趋势。本研究通过结合微波烧结和掺杂的烧结机制,为制备高致密的ITO陶瓷提供了一种工艺简单、生产效率高、生产成本低的新途径。