由于THz波处于电磁波谱的特殊位置,因此在物体成像、环境监测、医疗诊断、射电天文、卫星通讯和军用雷达等方面具有十分广阔的应用前景和重大的研究价值。但目前THz源所产生的THz电磁波的功率都比较小,极大的制约了THz技术的发展。本文主要围绕THz电磁波的特性、产生方法及检测技术,研究了产生THz电磁波的光电导方法、电光取样技术以及提高THz辐射功率的问题。用电光取样的方法对经过Si₃N₄钝化的半绝缘GaAs光电导偶极天线及其裸片进行了一系列的对比实验,并采用蒙特卡罗的模拟方法对GaAs光电导体内的光生载流子在偏置电场作用下的输运过程进行模拟。实验表明,在相同的触发光能下,较高的偏置电场作用于光电导天线,天线体内的光生载流子由于受到较大的外加电场力作用,将产生较高功率的太赫兹波。在相同的偏置电场下,太赫兹波功率将随光能增加而增加,但由于空间电荷电场屏蔽作用,太赫兹波功率的增长并不按光生载流子数目增长的平方关系增长,大孔径光电导天线能够承载更多的载流子,因而可以产生比小孔径光电导天线功率更高的太赫兹波。如果屏蔽效应被忽略的话,载流子寿命与入激光脉冲对大孔径产生和辐射太赫兹波有非常重要的影响,即载流子的捕获时间越长或入射激光的波长越短,太赫兹波辐射的强度就越大。在建立计算模型的过程中,考虑到载流子寿命以及触发光脉冲的宽度等因素会对THz辐射产生影响。故通过改变参数,根据实验模拟结果归纳出这些因素对THz辐射的影响。这对用光电导偶极天线产生大功率THz辐射的发展具有十分重要的指导意义。