随着电子技术的发展，二次电子发射得到愈来愈广泛的应用，因此，二次电子发射现象引起了人们的极大的兴趣，人们对各种物质二次电子发射的特性、机理和应用进行了广泛深入的研究，由于二次电子发射是一个比较复杂的物理过程，人们对二次电子发射的研究还不够，本论文将从实验和理论两方面对二次电子发射进行研究。 本论文首次提出了“有效真二次电子发射系数”的概念，并分别推导出高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系式和金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射角的关系时，然后用以前的科技工作者的实验数据对高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系式进行了验证。 本论文论述了属于同一个能区的入射较高能原电子对金属的射程的能量幂次与入射能量、金属的有效真二次电子发射系数的关系式，用以前的科技工作者的实验数据分别算出了属于两个能两段的较高能的原电子对金或铝的射程的能量幂次，最后对结果进行了讨论；本论文介绍了计算同一个能区高能原电子对金属平均射程的常数的方法，然后用以前的科技工作者的实验数据分别算出了属于两个能区的高能原电子对金的平均射程的常数，并用以前的科技工作者的实验数据算出了属于同一个能区的高能原电子对铝的平均射程的常数，最后对结果进行了讨论；本论文介绍了计算属于同一个能区原电子对金属发射体的沿程能量损失的方法，然后用以前的科技工作者的实验数据分别算出了六个不同能量的高能原电子对金属发射体的沿程能量损失，并用以前的科技工作者的实验数据算出了三个不同能量的高能原电子对金属铝发射体的沿程能量损失，最后对结果进行了讨论。本论文指出逸出深度是决定二次电子发射材料的二次电子发射系数的最重要的一个因数，介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计，然后对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行了比较并得出：当原电子入射能量较低时，两种二次电子发射材料的二次电子发射系数的差值较小，当原电子入射能量较高时，两种二次电子发射材料的二次电子发射系数的差值较大，而且随着原电子入射能量的升高，两种二次电子发射材料的二次电子发射系数的差值也在增大。最后进行了讨论。 本论文分别叙述了多种测量金属材料和绝缘体材料的二次电子发射系数的测量方法和简易测量装置，然后根据我们实验的条件和实验要求，分别研制了能测量金属材料和绝缘体材料的二次电子发射系数的测量装置并分别测量了几个金属材料和绝缘体材料的二次电子发射系数，取得了较好的测量结果。 我国对二次电子发射的研究还处于初步阶段，本论文从理论方面对金属的二次电子发射进行了一些定量研究并分别研制出了能测量金属材料和绝缘体材料的二次电子发射系数的测量装置，本论文将对我国的二次电子发射的研究起着一定的推动作用。