纳米结构中的光电效应一直是一个热点课题,在光电探测,光伏电池,电子元件等领域有巨大的应用价值。侧向光伏效应作为其中一种典型的光电效应,由于在灵敏位置探测器中的应用也得到了广泛关注,其最显著的特点是侧向光伏值与光照点位置呈线性关系。已经有大量研究通过改变样品或器件的材料和结构,以及运用各种不同的外场调控等方式,提高了侧向光伏效应的灵敏度和线性度。而磁场作为一种常见的调控手段,被广泛地应用于各种纳米结构的研究中,也被应用于侧向光伏效应的调控。关于磁调控侧向光伏效应,之前的工作基本集中在磁性结构中,但是效应很微弱,或者需要比较大的磁场,这都不利于将效应应用到实际器件中。因为磁场可以通过库伦兹力影响样品或器件中载流子的传输过程,所以可能会对非磁性纳米结构的各类光电效应产生影响。于是,我们猜测在非磁性纳米结构中也会发生磁调控侧向光伏效应现象。在本文中,根据纳米颗粒薄膜肖特基势垒高度可变的这一特性,我们设计了非磁性沟槽型混合肖特基结的结构,即样品各部分的肖特基势垒高度不同。由于该结构会使载流子的运动受限,使载流子的扩散不对称,因此会对磁场有比较显著的响应。在这种沟槽型结构中,我们在很小的磁场下就发现了比之前工作都要显著的磁调控侧向光伏效应。在此基础上,我们改变了沟槽型结构半导体层的材料,发现基于p型硅的结构比基于n型硅的结构,其侧向光伏值随着磁场增大有更明显的变化,我们认为这是由于p型硅和n型硅中的载流子类型不同。同时,我们也改变了沟槽型结构中的两侧金属层厚度,发现金属层厚度越厚的结构中,侧向光伏值随磁场增大也变化得越来越显著。这些现象的发现是磁调控侧向光伏效应的一个突破,可以应用于磁场探测器等,对侧向光伏应用的扩展有很大的潜在意义。