PECVD工艺条件对器件合格率的影响及其优化

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论文在研究PECVD工艺参数与淀积薄膜性能关系的基础上,研究了PECVD工艺参数对公司产品合格率的影响。实验证实,不合理的PECVD工艺参数会造成双极型器件小电流增益、MOS器件的阈值电压等参数与设计值发生偏差致使硅片边缘区域的合格率降低。研究中运用正交试验的分析方法,探索了相应工艺参数的变化对器件性能的影响规律,并以此为依据对PECVD工艺中的工艺参数进行优化并直接用于产品的生产,验证了经优化的PECVD工艺能有效地解决硅片边缘器件性能失效、合格率偏低的问题,使产品的合格率达到了量产的要求。
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