【摘 要】
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该文在总结当前超大规模集成电路（VLSI）缓冲器系统优化设计领域研究成果的基础上,对深亚微米工艺下VLSI缓冲器系统的优化设计理论与方法进行了深入的研究.首先分析了深亚微米工
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该文在总结当前超大规模集成电路（VLSI）缓冲器系统优化设计领域研究成果的基础上,对深亚微米工艺下VLSI缓冲器系统的优化设计理论与方法进行了深入的研究.首先分析了深亚微米工艺对器件性能的影响.基于CMOS晶体管的非线性I-V特性,重新建立了缓冲器的基本组成单元--反相器的性能估算模型.提出了一种新的变尺寸率缓冲器系统优化设计方法.分别建立了输出缓冲器的延时优化模型、面积优化模型和功耗优化模型,并运用遗传算法给出了各个优化问题的求解方法.该文进一步研究了长互连线驱动系统的优化设计问题.针对互连线的驱动结构,我们提出了一组解析表达式,用以表征互连线驱动单元的输出响应.在此基础上,我们指出如何将输出缓冲器的优化设计方法推广,应用于长线缓冲器系统的优化设计.
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