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随着光电子技术和薄膜技术的共同发展,多晶硅锗薄膜日益受到研究者的重视,在光电集成、微电子以及薄膜太阳能电池等领域都渗透着硅锗薄膜的广泛应用,而且硅锗薄膜也已经进入到了人们的日常生活当中。多晶SiGe薄膜具有制备工艺简单,成本低廉,可以大面积生产,易于控制等特点。本论文采用直流溅射和射频溅射共同溅射SiGe薄膜,目的是得到质量均匀的优质薄膜,主要开展了以下几个方面的工作:1、系统阐述了多晶SiGe薄膜的优异性质,以及目前制备SiGe薄膜的主要方法——磁控溅射,用磁控溅射分别溅射Si、Ge,获