随着集成电路制造技术的迅猛发展,电路特征尺寸与工作电压呈现不断下降趋势,电路内部节点的逻辑状态发生翻转所需要的电荷量(临界电荷)也随之降低。因此,集成电路与系统越发容易受到单粒子效应的影响而产生软错误。在电荷共享机制下,粒子撞击电路节点所诱发的双节点翻转(Double-Node Upset,DNU)是一种典型的软错误。现今静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)在集成电路中占据重要地位。然而,SRAM单元对单粒子效应越来越敏感,其可靠性问题是一个严峻的挑战。论文对现有的SRAM单元进行分析,提出抗辐射的SRAM单元,其主要研究工作如下:(1)提出节点交叉耦合互反馈的(Sextuple Cross-Coupled SRAM,SCCS)且读写优化的单元。该单元的所有单节点均能从单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)中自恢复,并且可以容忍部分DNU。与多个典型的SRAM加固单元相比,SCCS单元在读时间与写时间方面分别平均减少了61.47%与11.61%的开销,但是以牺牲面积与功耗为代价。(2)提出DNU完全容忍的(DNU-Completely-Tolerant Memory,DNUCTM)单元与DNU自恢复的(DNU Self-Recoverable Memory,DNUSRM)单元。DNUCTM单元的所有单节点均能够从SEU中自恢复,并且可以容忍部分DNU。此外,DNUCTM单元使用了版图级加固技术,提高了其抗DNU的能力。与多个典型的SRAM加固单元相比,DNUCTM单元在读时间与写时间方面分别平均减少了55.60%与33.76%的开销,但是以牺牲面积与功耗为代价。而对于提出的DNUSRM单元,当其任何一个节点对发生DNU时,其均能够自恢复。DNUSRM单元的可靠性更高,但牺牲了更多的面积与功耗开销。