空间环境是一个充满着大量带电高能粒子的辐射环境，随着人类空间探索活动的深入发展，对航天电子系统的性能提出了越来越高的要求，比如高可靠性、低功耗和高集成度等。存储器作为航天电子设备中重要组成部分，存储系统中重要数据或程序指令等。磁随机存储器作为一种新型非易失性存储器，相比于传统型存储器，具有读写速度快、功耗低、可以无限次读写，并且其核心单元磁隧道结具有天然的抗辐射特性，被认为是未来极有可能代替SRAM、FLASH等传统型存储器，而被应用到航天大容量存储器领域。但是磁随机存储器是磁隧道结工艺与CMOS工艺的集成，其抗辐射特性仍有待开展具体研究。关于磁随机存储器的辐射效应及抗辐射加固技术研究国外已有一些成果，而国内关于磁存储的主要研究则更多的是磁隧道结结构材料及器件模型等一系列基础性研究，鲜有相关的文献报道，而关于其抗辐射加固技术研究则更少。基于该背景，本文从辐射实验开始，基于相关辐射实验标准，设计并开展了磁随机存储器的总剂量效应和单粒子效应研究，并结合实验数据深入分析磁存储器辐射损伤机理，随后进行外部磁场环境对磁存储器功能影响的实验，最后调研了国外已有的磁随机存储器抗辐射加固相关技术，为后续国产自主可控的磁随机存储器的抗辐射加固设计提供相关参考。