硅麦克风封装关键工艺研究

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基于MEMS芯片技术的硅麦克风在消费电子领域的应用越来越广泛,但是,由于MEMS的特殊结构、硅麦克风使用的基板材料的特性及硅麦克风特殊的工作原理,硅麦克风在封装过程中面临成品率和可靠性的问题。本课题通过对硅麦克风封装关键工艺进行研究,优化工艺参数的设置,提高硅麦克风在封装过程中的成品率。首次系统研究了硅麦克风的封装工艺并确定了一系列工艺参数设置范围。利用胶水粘度对胶水流动性和固化后粘接力的影响,通过实验选择了适合MEMS贴片工艺要求的胶水粘度,并用DOE实验优化了贴片工艺点胶和贴片参数,将贴片强度从之前平均450gf提高到现在平均1200gf,将MEMS空腔漏气率从956ppm降低到目前0ppm,同时将胶水沿MEMS内壁攀爬高度成功控制在MEMS高度的40%~80%的范围内,达到了预期的目标。引线键合可焊性的提高是通过将引线键合工序进行拆分,利用同种金属之间易键合的优点,在MEMS芯片焊盘上使用溅射法沉淀300nm~350nm厚的镀金层,实现金~金键合,并且通过键合参数优化,这有效的提高了MEMS芯片焊盘上的可焊性,实现了在MEMS芯片焊盘上的焊接失效率从8000ppm降低到现在420ppm。达到了期望值。IC焊盘的可焊性通过在利用等离子清洗提高基板的可焊性的特性,通过选择合适的等离子清洗参数,将基板的焊接失效率从5700ppm降低到现在800ppm;通过键合工具的选择和植球键合参数的优化调节基板上焊球的大小和表面形状来减少金线在第二焊点的应力集中,从而减少金线在第二焊点断裂的概率。通过优化植球的参数,得到了直径为3~3.5金线直径大小且表面平整的焊球,使金线在第二焊点断裂的失效率从目前的800ppm降低到30ppm,满足了客户的要求。
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