【摘 要】
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在本文中,通过使用二维器件模拟软件MEDICI,对SiCGe/SiC异质结的光电特性进行了模拟。在这个异质结中,N型重掺杂3C-SiC层的厚度为1μm,P型轻掺杂SiCGe层厚度为0.4μm,二者之间形成
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在本文中,通过使用二维器件模拟软件MEDICI,对SiCGe/SiC异质结的光电特性进行了模拟。在这个异质结中,N型重掺杂3C-SiC层的厚度为1μm,P型轻掺杂SiCGe层厚度为0.4μm,二者之间形成突变异质结。在反向偏压为3V、光强度为0.23Watts/cm2的条件下,经计算机模拟发现,P-N+ SiC0.8Ge0.2SiC和p-n+ SiC0.7Ge0.3/SiC敏感波长λ最大可以分别达到0.64μm和0.7μm,光电流分别为7.765×10-7A/μm和7.438×10-7A/μm;为了进一步提高SiCGe/SiC光电二极管的光电流,将P-N+两层结构改进为p-i-n三层结构。在同样的偏压、光照强度条件下,p-i-n SiC0.8Ge0.2/SiC和P-i-NSiC0.7Ge0.3/SiC的光电流分别达到1.6734×10-6A/μm和1.844×10-6A/μm。 为了解决目前电控SiC-Darlington器件固有的电磁干扰问题,我们提出一种光控SiC-Darlington器件的新结构,它是由SiCGe/SiC异质结光电二级管和SiC-Darlington晶体管单片集成构成的。通过计算机模拟可以发现,我们设计的SiC-Darlington晶体管当在集电极和发射极的反向电压Vce=100V,基极电流为1×10-7A/μm的条件下工作时,输出电流可以达到1×10-4A/μm,电流增益β峰值可以达到1000;同时,我们设计的SiCGe/SiC异质结光电二极管产生的光电流也可以达到1×10-7A/μm,这说明了光控SiC-Darlington器件的新结构是可行的。
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