半导体技术发展日新月异,集成电路工艺也由几年前的0.25um提高到目前的40nm工艺,随之带来最小尺寸的缩小,晶圆上可集成的芯片数目的增多,进而带来设计的复杂性,可靠性以及成本等各方面的问题。本论文基于CMOS 65nm工艺,介绍了一个主要由跨导放大器构成的缓冲器设计,它应用于HDMI消费电子控制。本论文阐述了集成电路产品的一个完整的流程和技术的更新,具体包括电路框架构造的选择,前端设计和仿真验证,再到后端物理版图实现,以及流片结果的最终验证；最后又讲到此设计如何在更高工艺上,以更小的面积和更低的成本的实现,从而体现了摩尔定律所阐述的半导体芯片的发展趋势。论文同时讲述了深亚微米下的集成电路设计的一些要点、解决经验和先进的技术,并对深亚微米工艺下版图设计中关键的问题如WPE,STI作了解释以及在工程上的处理方法。