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我们研究小组以PbTe为研究对象,做了三方面工作:在ITO(铟锡氧化物)玻璃上制备了PbTe薄膜;在硅衬底上制备了Cr掺杂的PbTe薄膜;通过物理气相淀积的方法制备了Cr掺杂纳米颗粒。利用X射线衍射(XRD)表征了晶体结构;利用原子力扫描电镜(AFM),扫描电子显微镜(SEM),场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征了物体的表面形貌,利用傅里叶红外吸收谱(FTIR)表征了材料的红外吸收特性和并计算了禁带宽度,利用四探针电阻法测试并计算了电阻率。所取得的主要研究成果如下:1.利用磁控溅射的方法在ITO玻璃上制备了PbTe薄膜,并研究了负偏压在磁控溅射中对PbTe薄膜制备的影响。研究结果表明适当的施加负偏压可以吸引等离子体中阳离子轰击基片表面为薄膜生长提供额外的能量。薄膜的晶体结构,表面形貌,红外光吸收率,电阻率都能通过施加偏压得到有效地调整提高。并发现施加30V的负偏压时制备的PbTe薄膜在各方面均具有良好的性能。2.利用磁控溅射并通过退火的方法在Si衬底上制备Cr掺杂的PbTe薄膜,并研究了退火时间对薄膜制备的影响。研究表明,退火时间对制备Cr掺杂PbTe薄膜的结晶质量和表面形貌具有重要影响。退火时间为15min时,制备了结晶良好且表面呈现扁圆状结构的薄膜。3.通过物理气相沉积的方法在Si片上制备了Cr掺杂PbTe纳米颗粒。首先通过直流磁控溅射的方法在Si片上沉积了一层Cr,随后以PbTe粉末为源材料进行了物理气相沉积,制备PbTe纳米颗粒。研究了溅射时间对PbTe纳米颗粒制备的影响。研究表明,沉积时间对纳米颗粒的表面形貌和结晶质量具有重大影响。发现溅射时间为5min时制备的纳米颗粒较好。