硅是具有良好半导体特性的材料，是微电子的核心材料之一。可硅材料不是好的发光材料。只有当硅纳米微粒的尺寸小到一定值时，才可在一定波长的光激发下发光。硅纳米晶薄膜发光材料在实现微电子技术向光电子集成技术发展中具有重大意义，因此一直是人们不懈追求的目标。 本文介绍了垂直脉冲激光沉积法这一制备纳米薄膜的新方法。它利用激光穿透一层透明而平整且对激光没有吸收的基底(本文使用的是玻璃片，它对YAG激光器产生的1064nm激光不吸收)而作用在靶材上，使靶材表面熔蚀产生等离子体而沉积在基底上。此外，我们还将产生的玻璃表面的薄膜成功的转移到另一块硅基底上。这样我们得到了三种薄膜：玻璃表面的硅薄膜、硅靶上的薄膜和转移到硅基底上的薄膜。 通过SEM，XRD，TEM和透射显微镜等手段检测这些薄膜的微观结构，发现组成硅薄膜的都直径100nm以下的纳米硅，在不同实验参数下得到的尺寸、厚度和形态会有所不同。通过PL测试了它的荧光性能。经过分析得出：玻璃表面的硅薄膜荧光发射特征峰在以420nm、485nm和535nm为中心的地方；硅靶材上的薄膜发光中心在424nm。而经过膜转移后硅基底上硅纳米晶薄膜的荧光发射中心位于400nm处。