随着环境污染的加重,环境保护引起了人们越来越多的关注。半导体光催化降解有机污染物是一项节能、清洁,具有广阔应用前景的新兴技术。由于单组分的半导体对太阳光的吸收效率低,光催化活性不高,所以有关半导体光催化剂的改性研究成为人们研究的热点之一。本论文中采用同轴静电纺丝技术制备出了SnO₂@TiO₂同轴纳米电缆,SnO₂@ZnO同轴纳米电缆;采用静电纺丝技术制备了SnO₂/TiO₂复合纳米纤维,SnO₂/ZnO复合纳米纤维,SnO₂/ZnO复合纳米带;采用TG-DTA,FTIR,XRD,FESEM,TEM,EDS等分析测试手段对样品进行系统地表征。结果表明:纳米电缆的直径为100nm-300nm;纳米纤维直径为100-300nm;纳米带的宽度为2-6μm,厚度为240-600nm。以甲基橙、罗丹明B和感光废液为降解目标产物,研究了SnO₂@TiO₂和SnO₂@ZnO同轴纳米电缆、SnO₂/TiO₂和SnO₂/ZnO复合纳米纤维和SnO₂/ZnO复合纳米带的光催化活性。并重点探讨了同轴纳米电缆光催化过程中影响光催化效果的因素。结果表明,催化剂的浓度和焙烧温度对光催化性能有一定影响。通过对样品的UV-VIS分析表明,五种光催化剂对不同降解物均表现出一定的光催化活性。