SiGe/Si异质材料的应用越来越广泛,质量良好的SiGe薄膜成为其应用的基础。目前生长SiGe薄膜的方法有多种,其中CVD法的使用较为常见。SiGe薄膜的生长过程非常复杂,与多个因素相关,如温度、压强、气源、流量等,很多研究者都对其生长过程及生长动力学进行了研究,取得了不少成果。本文主要介绍了硅基应变、弛豫材料的生长机理、生长方法、生长动力学研究方面的研究。采用了RPCVD生长技术,所采用的气源为SiH₄、SiH₂Cl₂、GeH₄和H₂。生长温度分别为625℃、900℃,通过流量及温度的改变来得到不同的淀积速率。根据Grove理论以及菲克第一理论,本文首次提出并建立了适用于硅基应变及弛豫薄膜材料的CVD生长动力学模型。与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本文同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机制,给出了两种控制机制极限情况下的模型,该模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征。最后,将模型计算值与实验值进行了对比,不论是低温（625℃）还是在高温（900℃）下,都与实验值符合得较好。该模型结构简洁、物理意义清晰,适于不同气源体系的高温和低温下的应变与弛豫SiGe材料RPCVD生长动力学的描述。