半导体器件作为各种电子设备最基本的组成部分，其质量的好坏、稳定性的高低都直接影响着整个电子设备的稳定性和安全性，尤其在航天与核电等高技术、高成本、高风险领域，有质量缺陷的半导体器件一旦出现问题，可能会导致无法挽回的灾难，造成巨大的经济损失甚至人员的伤亡。随着对可靠性要求的不断提高，如何准确的检测出半导体器件的优劣称为了一项具有重要理论与实际意义的问题，也是众多学者正在深入研究的一个领域。1/f噪声是衡量半导体器件质量的重要指标之一，本文以稳压二极管为实验对象，在现有半导体器件可靠性分析方法的基础上，提出了几种新的更为稳定的低频噪声分析方法，能较为准确的估计出1/f噪声参数，并搭建了一套软、硬件测试系统，为半导体器件的可靠性评估提供了理论支撑与物理实现。具体研究内容如下：1)首先阐明半导体噪声的种类及其产生机理，尤其是由半导体本身质量缺陷所引起噪声的特性，明确半导体元器件低频噪声主要是1/f噪声与其质量、可靠性间的关系。2)搭建可以测试半导体器件低频噪声的硬件平台，做到在测量半导体内部噪声时尽可能的避免外界和设备内部的干扰；并用Labview软件开发一套对应的1/f噪声参数估计软件系统，系统主要由数据采集、时域分析和频域分析三大部分组成。3)时域分析部分，根据1/f噪声和白噪声小波变换系数方差的特点，在小波分析的基础上提出基于抗差估计的1/f噪声参数估计方法，并采用三种仿生优化算法对抗差估计求解方程寻优，比较几种方法的优劣。4)频域分析包括三大部分：首先是对经典傅立叶变换互谱方法进行复现；其次提出基于小波包自适应阈值去噪的1/f噪声参数估计方法，求得去噪信号的功率谱密度后通过参数拟合求取1/f噪声频率因子；最后提出基于互四阶累积量的1/f噪声参数估计方法，求得所测信号的四阶谱一维切片，然后估计1/f噪声频率因子。