【摘 要】
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本文主要提出了一个对于多晶硅薄膜晶体管广泛适用的开态电流解析模型。通过比较MOSFET中三种普遍存在的迁移率退化模型,结合晶粒间界势垒调制效应,得到了最适合于多晶硅薄膜
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本文主要提出了一个对于多晶硅薄膜晶体管广泛适用的开态电流解析模型。通过比较MOSFET中三种普遍存在的迁移率退化模型,结合晶粒间界势垒调制效应,得到了最适合于多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型。基于该有效迁移率模型以及器件的缓变沟道近似,我们成功推导出了多晶硅薄膜晶体管开态电流模型的解析表达式。在此开态电流模型中载流子速度饱和、迁移率退化和晶粒间界势垒调制三种效应自然地结合在一起,没有任何其它的近似。所有的模型参数都具有明确的物理意义没有任何人为因素的引入。模型参数的提取与优化也进行了详细的讨论。器件饱和区明确定义,推导出了饱和漏电压VDsat的解析表达式。该表达式物理基础完整。通过一定的简化,得到了在不用测量器件输出特性曲线的情况下直接准确的预测VDsat数值的解析表达式。
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