本文首次利用MgB₂作为超导多层膜中的超导体。对于这种多层膜的探讨首先是对于双层膜的研究。我们主要研究SSeS结，而其他的超导结比如SIS、SNS、SISIS等结可以采取与此相近的方法。对于MgB₂超导SSeS结，本论文对它的临界厚度进行了详尽理论分析和公式推导。利用MAR（倍增Andreev Reflection）解释超导电子对或者空穴对穿越中间结的原理，从Ginzburg-Landau方程以及薛定谔方程出发研究了MgB₂的SSeS超导结的各种性质。对于结区势垒，利用多阶梯状势垒近似代替，加上Ginzburg-Landau方程以及薛定谔方程与各种边界条件，得出一维条件下的位相解以及电流位相关系。在已经得到的结果上，接着对于利用MgB₂作为SSeS结的超导层（Se为P型半导体）的临界厚度公式进行了理论推导和实际探讨：在得到的临界厚度公式中有临界厚度的大小和相干长度成正比，正是由于MgB₂具有远远高于一般金属以及二元化合物的临界转变温度，还具有更大的相干长度，这对于得到大块的超导体非常有利，而对于以后制备MgB₂超导器件更是具有深远的理论意义。在文章的最后，基于本实验室制备MgB₂超导薄膜的经验，结合现有的试验设备以及微电子工艺，对于这种超导结以及MgB₂多层膜的制备提出现实可行制备方案，从而为进一步于以后我们制备多层膜打下坚实的基础。