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A1N优异的物理化学性能使得A1N薄膜在压电、光电子及声表面波等领域有着广阔的应用前景，因而受到人们广泛的关注和研究。本文使用超高真空磁控溅射设备，应用反应磁控溅射法在Si(100)、Si(111)和石英衬底上淀积A1N薄膜。采用XRD、SEM及AFM等现代分析测试技术对不同工艺条件制备的AIN薄膜进行结构和表面形貌的特性表征；采用椭圆偏振仪测试了A1N薄膜的折射率和厚度，由此掌握了不同工艺条件下磁控溅射A1N薄膜的淀积速率；结合石英衬底上A1N薄膜的紫外-可见-近红外透射谱的测试，得到了A1N薄膜光学带隙随工艺条件变化的规律。主要工作内容及其结论如下：
1.用反应溅射法在Si衬底和石英玻璃衬底上淀积的A1N薄膜，在100℃-400℃的温度范围为[002]方向择优生长的多晶；
2.在JGP280型超高真空直流磁控溅射设备上，用直径为60mm的高纯Al靶材制备A1N薄膜的优化工艺条件主要有：溅射时的工作气压为0.4Pa，靶间距为5cm，氮气氩气流量比为1:3，基片温度为400℃，溅射功率为60W；
3.对比Si(100)和Si(111)衬底，以及石英玻璃上淀积的A1N薄膜的XRD和SEM测试结果，发现淀积薄膜中的晶粒取向和结构与衬底关系不大；
4.用原子力显微镜(AFM)对A1N薄膜的粗糙度进行的研究表明：在抛光的Si基片上制备的A1N薄膜的最小粗糙度为1.86nm，满足作为缓冲层的要求；
5.利用椭圆偏振法测试了A1N薄膜的折射率，在优化的工艺条件下，薄膜在632.8nm波长处的折射率可以达到2.054，仅比A1N晶体的2.15低不到0.1，说明A1N薄膜的致密性较好；根据同时获得的厚度数据，算出薄膜的生长速率在优化的工艺条件下为11.48nm/min；
6.透过率测试表明，厚度为550nm的磁控溅射A1N薄膜在可见和近红外波段的透过率接近90％，吸收限在210nm附近。利用透过率数据和椭偏仪测试数据，用Tauc公式算得磁控溅射A1N薄膜的光学带隙为5.84eV，略低于A1N晶体的6.2eV。