二维材料具有独特的性质,譬如原子级薄的厚度、大的比表面积、量子限域效应等,同时,二维材料有望解决短沟道效应,被认为是后摩尔时代的关键材料之一,近些年来获得了科研人员的极大关注。通过层间范德华力的作用,不同的二维材料可以堆叠在一起形成异质结构,具有极高的自由度,在器件的设计、应用和集成方面展现出巨大的潜力。其中,平面各向异性二维材料由于其本身的低对称性晶格结构展现出更丰富的物理特性,并且其增加的用于调节物理性能的自由度可用于设计独特的半导体器件并探索新的应用,对各向异性二维材料的研究也逐渐增加。然而,目前,对材料的各向异性进行调节,并且利用各向异性材料的特性和各向同性材料相结合并对其异质结构的各向异性进行系统研究的工作仍然较少。基于此,我们选取了本身具有各向异性的1T’相结构的二硫化铼,并选择了二硫化钨与其构建成范德华异质结,围绕二硫化铼及其异质结进行了各向异性以及光电方面的研究。主要包括一下几个方面:1.通过光致发光光谱发现不同层厚的二硫化铼激子峰位移差别很小,表明二硫化铼之间的弱层间耦合。制备了基于不同层厚的二硫化铼场效应晶体管,可以分别表现出半导体和半金属的性质。2.制备了基于各向同性材料二硫化钨和各向异性材料二硫化铼的II型范德华异质结。通过使用拉曼光谱和光致发光光谱,观察到二硫化铼与二硫化钨在构建成异质结之后拉曼峰强度的减弱和激子峰的淬灭,证实了异质结中存在的耦合作用。通过使用不同的金属接触电极,二硫化铼和二硫化钨异质结表现出了不同的电学性质。当使用钛/金电极时,异质结表现出双极性,当直接使用金电极和铟/金电极时,基于异质结的器件表现出n型特征,表明可以通过不同的接触电极调控异质结器件的电学类型。同时,本文还通过角分辨偏振拉曼光谱,研究了二硫化铼及其与二硫化钨构建异质结之后的各向异性。二硫化铼及其异质结的偏振拉曼峰表明,不论是二硫化铼还是异质结,其偏振拉曼强度均随旋转角度呈周期性变化,以180°为周期,表现为中心对称。但是与二硫化铼相比,异质结的各向异性比发生了变化,这为调控材料的各向异性提供了新的研究方向。