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Bi2WO6是一种稳定、无毒的半导体材料,带隙约为2.74eV-2.90eV,其吸收的阈值波长大于400nm,可见光照射下能够降解有机物,在处理环境污染方面具有优异的光催化性质,因而怎样制备并且改善Bi2WO6材料的光催化性能,使之在可见光范围内发挥高效稳定的催化活性,近年来引起极大关注。鉴于材料特殊的性能,本论文选择以Bi2WO6作为研究的主体对象,采用静电纺丝技术结合溶胶-凝胶过程,成功制备得到Bi2WO6材料,为改善样品的光催化性能,成功地将V5+离子引到Bi2WO6晶格里。对制备样品做相关的结构表征和性能测试,研究热处理条件及掺杂的V5+离子对制备样品的结构、物理形貌和光催化活性的影响。并分析检测得到的Bi2WO6材料其循环利用性。主要研究内容和结果如下：(1)以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、钨酸铵((NH4)10W12O41)和柠檬酸铋铵(C6H13BiN2O7·H2O)为原料,利用静电纺丝技术结合溶胶-凝胶法成功制备了PVP/C6H13BiN2O7·H2O-(NH4)10W12O41前躯体,对其缓慢控温处理氧化分解最后得到材料。并采用差热-热重(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)等分析手法讨论探索热处理温度对制备的材料的作用,通过光降解有机污染物罗丹明B(RhB),来讨论其光催化性质。结果显示：可见光照射下,热处理温度600℃的材料光催化性能最好,并讨论了光催化的原理。(2)为了优化Bi2WO6材料的光催化性质,分别以钨酸铵((NH4)10W12O41)、偏钒酸铵(NH4VO3)和柠檬酸铋铵(C6H13BiN2O7·H2O)为原料,利用静电纺丝技术结合简单的溶胶-凝胶过程成功地将V5+引入Bi2WO6材料中,探讨了热处理温度和掺杂离子对基体结构形貌与性能的影响,并研究了材料的循环利用性。结果显示掺杂的离子对样品前躯体的丝状形貌几乎没有作用,但是V5+的掺杂使Bi2W0.6V0.4O6-δ材料结晶度降低,带隙小于Bi2WO6,反应的活性中心增多,光催化能力强；B12W0.6V0.4O6-δ材料在光催化反应中保持优良的稳定性。