金属有机物化学气相沉积(MOCVD)是生产半导体晶片最关键的技术。由于半导体技术的迅速发展,MOCVD生长技术的市场需求量与日俱增,但是现阶段国内生产半导体材料的厂家所需MOCVD设备大部分源于进口,因此研发出具有生产高质量半导体材料(氮化镓)的MOCVD设备具有重要意义,也具有很大的市场价值和前景。本文先介绍了金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术的概况及其研究背景和国内外现状,然后对MOCVD温度控制系统的硬件组成和工作过程做了简单概述,再按照其结构和工作过程分析了MOCVD外延腔体温度控制的特性,分析表明MOCVD外延腔体温度控制系统具备"大滞后""非线性" "参数时变"等属性。再根据数学建模的思想,以系统辨识的原理为基础,系统辨识的方法为工具,把相关的实验数据进行处理,创立了 MOCVD反应腔体内温度控制系统的数学模型。文中先以PID控制算法为基础对温度控制系统的模型进行研究,并对由其改进的积分分离式PID算法和变速积分式PID算法进行研究,用MATLAB里的Simulink仿真环境对此算法及其改进算法做仿真并分析其各自的特点。为了提高系统的非线性和自适应性,接着提出模糊控制算法,对该算法进行仿真,然后分析其特点和优劣性,仿真结果表明该系统具有良好的控制效果。此算法若用于MOCVD设备外延腔体温度控制系统,则具备很广阔的应用价值和前景。