【摘 要】
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在现代集成电路制造中,一般采用浅沟槽隔离技术来实现有源器件的隔离。然而随着器件尺寸的缩小,对浅沟槽隔离的无缝隙填充成为隔离技术中的难点之一。本论文主要介绍一种基于
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在现代集成电路制造中,一般采用浅沟槽隔离技术来实现有源器件的隔离。然而随着器件尺寸的缩小,对浅沟槽隔离的无缝隙填充成为隔离技术中的难点之一。本论文主要介绍一种基于O3／TEOS在半大气压下应用化学气相淀积的工艺生长方法来生成SiO2薄膜,并应用在90nm以下浅沟槽隔离的填充。其中着重描述了反应腔对反应温度,反应压力和气体流量的控制方法,以及测量设备对淀积薄膜性能的测量原理。然后通过设计实验,研究了反应剂浓度,反应温度,反应压力等各反应条件对介质薄膜的影响,以及不同反应条件下淀积形貌的特点。最后根据实验结果,得到最优组合,对90m浅沟槽进行无缝隙填充。
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