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基于溶液法制备的核壳结构量子点(Quantum Dot,QD)具有独特的性能:相比于有机发光材料,其具有耐水氧稳定性好、发光色纯度高、发光效率高、发光光谱随量子点尺寸可调控等特征,成为近年来平板显示行业研究的热点。以量子点作发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QD-LED)相比于有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)具有更低的功耗、更长的寿命、更低廉的制造成本,很有希望成为下一代平板显示技术。但是由于当前的研究尚处于初级阶段,很多性能问题亟需解决,如:器件发光效率低、亮度不理想、寿命短等,本文主要通过以下方法提高量子点发光器件的性能。具体研究内容如下:(1)在器件中引入无机半导体传输材料纳米ZnMgO和纳米ZnO,以纳米ZnMgO和纳米ZnO作电子传输层,全溶液法制备了量子点发光器件(a:ITO/PEDOT:PSS/PVK/QD/ZnO/Al,b:ITO/PEDOT:PSS/PVK/QD/ZnMgO/Al)。通过测试两组器件的电流-电压-亮度-发光光谱分析了纳米ZnMgO和纳米ZnO作电子传输层对量子点发光器件影响。结果表明:纳米ZnMgO相对于纳米ZnO电子迁移率更高,且与量子点能带之间的注入势垒更低,这可以使电子更高效的注入,因此纳米ZnMgO器件的性能要优于纳米ZnO器件的性能。纳米ZnMgO器件亮度高达1722cd/m~2,启亮电压为1.9V,电流效率为4.36cd/A,器件的电压承受能力更强,9V时器件才发生击穿猝灭。实验中创新性的将纳米ZnMgO应用在QLED器件上,对优化器件性能有重要意义。(2)量子点发光二极管中发光层制备的工艺条件会影响器件的性能和稳定性,实验中对其进行探索和优化。首先系统分析了量子点的膜层厚度对量子点薄膜形貌及器件光电性能的影响,结果表明:量子点层厚度在16nm和12nm时,量子点的团聚现象严重;随着量子点层厚度的降低,薄膜表面粗糙度也随着降低,同时量子点的团聚现象减弱;当量子点层厚度与量子点粒径(约为10nm)相当时,量子点呈单层排列且团聚现象消失;当量子点厚度低于10nm时,薄膜出现孔洞缺陷。器件的光电性能测试结果显示:10nm厚度的发光层器件性能最优,其具有最低的启亮电压2.1V,最高的亮度1782cd/m~2。其次分析了量子点薄膜制备过程中退火温度对量子点及器件性能的影响。热重分析结果表明:量子点在由温度120℃升高到160℃时,引起量子点表面绝缘配体的脱落,量子点重量不断减小;退火温度为160℃时,此时器件性能最高:亮度为1622cd/m~2,启亮电压仅为2.0V;在温度超过160℃时,量子点重量迅速降低,由于配体的大量脱落,降低了其量子产率,因此器件的性能降低。(3)实验中使用的基础器件结构(ITO/PEDOT:PSS/PVK/QD/ZnMgO/Al),经测试是电子富余型器件。通过提高器件的空穴注入能力来提升器件性能,使用甲醇溶液对PEDOT:PSS薄膜进行处理,原子力显微镜测试结果表明:经甲醇处理的PEDOT:PSS薄膜可以降低其表面粗糙度,使薄膜表面更为平滑。薄膜的X射线光电子能谱测试结果分析得知:甲醇处理后的薄膜,绝缘的PSS与PEDOT聚合物发生相分离,PSS的减少提高了薄膜的导电率,空穴注入能力增强,因此甲醇处理的器件性能相对于未处理的器件有较大提升,在亮度上提高了30%。在后续的工作中,引入无镉量子点应用到器件中,进一步提升量子点器件性能。