高温超导体YBa₂Cu₃O_7-x（YBCO）具有优异的电学性能,所以许多科研人员对其产生较大的兴趣。YBCO只有在制成带材以后,才能被使用。当前生产YBCO带材的主要思路是,选用具有一定机械强度的金属基带,然后从下至上,依次在基带上镀上多层缓冲层薄膜和一层YBCO薄膜。现今有很多较为成熟的薄膜制备方法,其中金属有机化学气相沉积（MOCVD）一直被视为是最具潜力的镀膜方法之一,它具有覆盖均匀、薄膜组分可控性高、可在复杂形状的基体上镀膜和沉积速率高等优点。激光化学气相沉积（LCVD）是一种特殊的MOCVD技术,该技术通过连续的激光束进行增强,激光束能激活前驱体分子,加速化学反应。从技术层面上来讲,LCVD加快了薄膜的沉积进程,使薄膜的择优取向得到增加,且薄膜的沉积温度也会有所降低,和MOCVD相比,LCVD在YBCO带材的制备上更具有潜力。本论文首先选用（100）取向LaAlO₃单晶作为基体,通过激光化学气相沉积法（固体原料加热系统）,在基体上制备出高质量的CeO₂缓冲层薄膜。随后,我们选用Hastelloy C276合金作为基体,通过激光化学气相沉积法（液体原料输送系统）,在基体上制备出高电学性能的YBCO薄膜。在本论文中,我们主要研究了激光功率（沉积温度）和沉积速率对CeO₂和YBCO薄膜各项性能的影响。在制备CeO₂薄膜时,薄膜的制备温度设置为947-1096 K（对应的激光功率为52-185 W）。当沉积温度在1027 K到1096 K范围内（即激光功率从115W到185W）时,制备的薄膜呈现出高度的（100）取向,薄膜由顶部呈楔形的柱状晶粒构成,它的外延生长关系是CeO₂[100]//LAO[100]（CeO₂[010]//LAO[011]）。CeO₂薄膜（200）晶面的ω扫描的半高宽为0.8-1.8°,其（220）的φ扫描的半高宽为0.7-1.2°。本实验中,薄膜的最大生长速率为32μm/h,此时薄膜不具有纯净的（100）择优取向,具有纯净（100）择优取向的CeO₂薄膜的最大生长速率为30μm/h。在制备YBCO样品时,其沉积速率设置为10-55μm/h。当沉积速率为10μm/h时,实验制得了c-轴取向的YBCO薄膜,样品的临界温度（T_C）达到91 K、临界电流密度（J_C）达到2.4 MA/cm²,该薄膜的外延生长模式为YBCO[001]//CeO₂[100]（YBCO[100]//CeO₂[011]）,样品（005）晶面的ω扫描的半高宽为1.9°,（102）的φ扫描的半高宽为3.2°;当沉积率为45μm/h时,实验制得了a-轴取向的YBCO薄膜,该条件下样品的T_C为78 K、J_C为0.4 MA/cm²,该薄膜的外延生长模式为YBCO[100]//CeO₂[100]（YBCO[001]//CeO₂[011]）,样品（005）晶面的ω扫描的半高宽为4.9°,（102）的φ扫描的半高宽为9.5°。