瞬态电流测试方法主要通过故障状态下的瞬态电流与正常状态下的瞬态电流的差别来检测故障。在保证激活故障的条件下,若无故障电路和故障电路的瞬态电流差别尽可能大,则认为检测到了故障。但是,即使是同一设计的芯片,也会有不同的工艺参数。在CMOS电路中,随着VDSM(very deep submicron)技术的应用,某些工艺参数将会对电路产生影响。在瞬态电流测试中,不同的工艺参数,会使得同一设计的无故障电路产生不同的瞬态电流。当这两个电流差别较大时,若我们不考虑工艺参数的影响,那么我们极有可能认为这个电路是有故障的。这就影响了我们对电路是否存在故障的判断,降低了测试质量。因此,我们需要寻求一种测试方法以克服这一影响。在IDDQ测试中,稳态电流值也受到工艺变化的影响。为了提高区别好的电路与故障电路响应的分辨能力,电流特征的描述就得以提出。电流特征描述技术不是根据单个阀值来确定电路是否有故障,而是根据特征符号来分析。特征符号是对所有测量值的幅值排序得来的。利用电流特征的稳定性能有效地克服工艺变化对稳态电流的影响。本文从中得到启发,将电流特征符号原理运用到瞬态电流测试中,提出了利用电流特征的稳定性来克服工艺参数变化对瞬态电流的影响的方法,并通过PSPICE进行了模拟实验。实验结果表明,利用电流特征符号稳定性的方法能在一定程度上达到克服参数影响的目的,具有一定的可行性。