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高容量赝电容材料结合了双电层电容器与离子电池的特性。T-Nb2O5作为一种新型的插层型赝电容材料,具有优秀动力学性能和高比容量。然而T-Nb2O5也存在着导电性能差,倍率性能低的缺点。因此,本文探索了多种含Nb-O结构的材料,扩展了插层型赝电容材料的范围；进一步通过碳与Nb2O5的复合作用,提升了Nb2O5的电化学性能。本文的主要结论如下：(1)Nb-O型粉体材料的锂离子插层行为研究。不同晶体结构的商业Nb-O型材料电化学性能表明,LiNbO3、NaNbO3和NbO2在嵌锂/脱锂过程中均发生了赝电容