近年来,范德瓦尔斯异质结由于在未来的多功能电子和光电器件中具有巨大的潜力,在科学界引起了极大地关注。范德瓦尔斯异质结由两种不同的二维材料通过范德瓦尔斯相互作用结合在一起构成,与传统半导体异质结不同,它的制备方法简单,且不存在晶格失配问题,同时提供了优异的界面质量。通过范德瓦尔斯作用力将二维材料堆叠在一起,可以创造出性能优于其单独材料的新颖的电子和光电子器件。本论文基于机械剥离法以及定位转移法实现BP/ReS₂异质结器件的制备,并对异质结器件的电学特性以及光电探测性能进行研究。主要内容如下:1.结合二维材料定位转移技术与微纳加工技术成功制备了BP/ReS₂异质结器件,利用光学显微镜、拉曼光谱、原子力显微镜等手段对异质结器件进行了表征。2.研究了BP和ReS₂的基本电学特性。结果表明BP呈现p型半导体特性,ReS₂呈现n型半导体特性,平均场效应迁移率分别为158.3 cm²V^-1s^-1和4.4 cm²V^-1s^-1。3.研究了BP/ReS₂异质结的p-n结二极管电学特性。结果表明,我们所制备的异质结为Ⅲ型异质结,表现出类似于传统p-n结二极管的清晰的可通过栅极调控的整流特性,最高整流比21。4.研究了BP/ReS₂异质结的光电探测特性。在365 nm紫外光照射不加栅极电压的情况下,BP/ReS₂异质结p–n结二极管具有优异的光响应特性,光响应度和光增益分别达到4120 A/W和14000。此外,对不同通道长度的研究发现,BP长度为1μm时,光响应度最高为11811 A/W。结果表明,范德瓦尔斯二维材料有望用于开发先进的纳米光电异质结器件。