【摘 要】
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新兴的第三代半导体SiC、GaN和AlN等材料具有禁带宽度大,耐压能力强的优势,有望突破这一限制达到常规半导体难于企及的性能指标。晶体管由于应用广泛,已经成为半导体行业中最
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新兴的第三代半导体SiC、GaN和AlN等材料具有禁带宽度大,耐压能力强的优势,有望突破这一限制达到常规半导体难于企及的性能指标。晶体管由于应用广泛,已经成为半导体行业中最为重要的固体器件之一。所以提高晶体管的性能就成为半导体行业发展中不可绕过的课题。本论文即对氮化镓材料的晶体管和基于氮化镓材料晶体管的集成电路设计加以研究,本文在参考了氮化镓材料特性的基础上,利用晶体管等效电路及原理与曲线迭代拟合的方法推导计算出氮化镓基晶体管的特性参数。通过对氮化镓基晶体管与常用传统材料晶体管的对比,以证明氮化镓基晶体管在温度特性等性能上的优越性,并以此基础上,利用氮化镓基晶体管进行集成电路设计,以实现性能上的提高。
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